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SLM2005E

200V低压驱动芯（xīn）片

样（yàng）片申请

SLM2005E Datasheet

产品概述

产品特性

安（ān）规认证

典（diǎn）型应（yīng）用（yòng）图

产品概述

SLM2005E 是一（yī）款高压、高速的功（gōng）率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集（jí）成电路和锁存（cún）免疫的（de）CMOS技术可提供（gòng）可靠（kào）的（de）单芯片驱动方案。逻辑输入电（diàn）平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持3.3V逻辑。输出（chū）驱（qū）动器具有（yǒu）高脉（mò）冲电（diàn）流缓冲级，以减小驱动器（qì）交叉导（dǎo）通。浮动（dòng）通（tōng）道可用（yòng）于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特（tè）性

为自（zì）举操作（zuò）设计的浮动通道

完（wán）全运（yùn）行时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源（yuán）范围从（cóng） 10V 到 18V

欠压（yā）闭锁（suǒ）

3.3V、5V 和 10V 逻辑输（shū）入兼容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防（fáng）止交（jiāo）叉（chā）导通逻辑

两通道（dào）间匹配传输延迟

输出信（xìn）号与输（shū）入信号同（tóng）相

通过无铅认证