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SLM2015

160V低压驱动芯片

样（yàng）片（piàn）申请

SLM2015 Datasheet

产品概述

产（chǎn）品特性

安规认证

典型应用图

产品概述（shù）

SLM2015 是一款高（gāo）压、高（gāo）速的（de）功（gōng）率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集（jí）成电路和锁存免疫的CMOS技术（shù）可提供可靠的单芯（xīn）片驱动方（fāng）案（àn）。逻辑输（shū）入（rù）电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑（jí）。输出驱动（dòng）器具有高脉冲（chōng）电流缓冲级，以减小驱（qū）动器交叉导通。浮动通（tōng）道可（kě）用于（yú）驱动高边（biān）配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高达（dá）200V。

产品特性

为自举操（cāo）作（zuò）设计的浮动（dòng）通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范（fàn）围从（cóng） 10V 到 18V

欠压（yā）闭锁

3.3V、5V 逻辑（jí）输入兼（jiān）容

驱动电流（liú）：1A/1.5A

防止交叉导通（tōng）逻辑

两通（tōng）道间（jiān）匹配传输延迟

输出信号与输入信号同相

通过（guò）无铅认证