SLM2110是一款高压、高（gāo）速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱（qū）动器，它提（tí）供（gòng）独立的高边、低边输出驱动（dòng）信号。采用专有的（de）高（gāo）压集成电路和（hé）锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输（shū）入电平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最（zuì）低支持3.3V逻辑（jí）。输（shū）出驱动器具（jù）有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交（jiāo）叉导通。延（yán）时（shí）匹配很（hěn）方便（biàn）应用于高频设备（bèi）。浮动通（tōng）道可用于驱动高边配置（zhì）的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。
为（wéi）自（zì）举供电设计的浮动（dòng）通（tōng）道
全（quán）电（diàn）压范围运（yùn）行达600V
允许瞬态负电压，不受（shòu）dV/dt影响（xiǎng）
驱动电源范围从（cóng）10V到20V
欠压（yā）闭锁
3.3V、5V和15V逻辑兼容
逻辑地和功率（lǜ）地能承受（shòu）±5V偏（piān）置（zhì）
防止交叉导通逻辑
输入有下（xià）拉电阻的COMS斯（sī）密特（tè）触（chù）发器
逐（zhú）周期边缘触发（fā）的关闭（bì）逻（luó）辑
两通道间（jiān）匹（pǐ）配传（chuán）输延时
输入输出同相
典型开通/关断（duàn）延时：140ns/140ns
典（diǎn）型驱动电（diàn）流：1A/1.6A
400 080 9938
