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        样片申请 | 简体中文
        SLM21364
        600V 200/350mA高压三相半桥驱动芯片(piàn)
        样片(piàn)申(shēn)请
        SLM21364 Datasheet
        产品概述
        产品(pǐn)特(tè)性
        安规认证
        典型应(yīng)用图
        产品(pǐn)概述

        SLM21364是一(yī)款高压、高速的三相功率MOSFET和(hé)IGBT驱动(dòng)器。采(cǎi)用专有的高压集成电路和锁存免疫(yì)CMOS技(jì)术,提供(gòng)可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入(rù)电平与标准CMOS或LSTTL输(shū)出兼容,最低支持(chí)3.3V逻辑。通过检(jiǎn)测外部(bù)电流电阻上电流,过流保护功能能够关断所有输出。使(shǐ)能引脚(jiǎo)能同(tóng)时控制6路输(shū)出开通(tōng)或关断。提供漏极(jí)开路的故障(zhàng)信号(hào)指(zhǐ)示过(guò)流或者欠(qiàn)压关(guān)闭发生(shēng)。通过连接到RCIN输入(rù)的RC网络(luò)外部(bù)编(biān)程延(yán)时(shí)后,过流故障条件(jiàn)自动(dòng)清除。输出驱动器具有高脉(mò)冲电流(liú)缓冲级,以减(jiǎn)小驱动器(qì)交叉导通。延时匹配很方(fāng)便应用于高频设备。浮动通(tōng)道可用于驱动高边配置的(de)N型沟道功率MOSFET或IGBT,工作(zuò)电压可(kě)高达(dá)600V。

        产品特性

        为自举(jǔ)供电设计的浮动通道

        全电压范围(wéi)运(yùn)行(háng)达(dá)600V

        允许瞬态负电压,不受dV/dt影响(xiǎng)

        驱动(dòng)电源范围(wéi)从10V到20V

        欠压闭(bì)锁(suǒ)

        高低边(biān)输入输(shū)出(chū)同(tóng)相

        3.3V,5V逻辑兼容

        低di/dt门极驱动抗干扰能力强

        双通道的匹配延时

        外部可编程延时的自动故障清理

        典型死(sǐ)区时间:290ns

        典型(xíng)开通/关断延时:350ns/400ns

        典型驱动电流:200mA/350mA

        SOP28W封(fēng)装

        安规认证
        典型应用图

        21364.png

        产品(pǐn)参数(shù)表

        展开过滤器
        Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage (Max)(V) Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
        SLM21364CF-DGIGBT/ MOSFET0.2/0.3560010-20350/400100/40290100-40-125SOP28WReel/1000
        应用案例

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