SiLM27519 器（qì）件是单通道（dào）高速（sù）低（dī）边门极驱动器，可（kě）有效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开（kāi）关。SiLM27519 采用一种能够从内（nèi）部（bù）极大（dà）的（de）降低（dī）直通电（diàn）流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲（chōng）提供给电容负（fù）载，以实现轨到轨的驱（qū）动（dòng）能力和典型（xíng）值仅为 18ns 的极小（xiǎo）传播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值灌电（diàn）流。
低成本（běn）的门极（jí）驱动（dòng）方案可用于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值（zhí）源电流（liú）和 5A 的峰值（zhí）灌电流能（néng）力
快速的传输（shū）延时（shí）（典型值为 18ns）
快速（sù）的上升和下降时间（jiān）（典型值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭（bì）锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的（de）输入逻辑电压阈值
双输入（rù）设计(可选择反相或非反相驱（qū）动配置)
输入浮空时输出（chū）保（bǎo）持为低（dī）
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的封装选项（xiàng）
400 080 9938
