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SiLM2004E

200V低压驱（qū）动芯（xīn）片（piàn）

样片申请

SiLM2004E Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典（diǎn）型应用图

产品概述

SiLM2004E 是一（yī）款高（gāo）压（yā）、高速的（de）功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存免疫的CMOS技术（shù）可（kě）提供可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入电平与（yǔ）标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低支持3.3V逻（luó）辑。输出（chū）驱动器具有高脉冲电流缓（huǎn）冲（chōng）级（jí），以减小驱动（dòng）器交叉（chā）导通。浮动（dòng）通（tōng）道可用于驱动高边（biān）配置的（de）N型沟（gōu）道功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压可高（gāo）达200V。

产品（pǐn）特（tè）性

为（wéi）自举操作设计的浮动通道（dào）

完（wán）全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V逻辑输入兼容（róng）

驱动（dòng）电流（liú）：290 mA/600 mA

防止（zhǐ）交（jiāo）叉导通逻（luó）辑

两通道间匹（pǐ）配传输延迟（chí）

通过无铅认证（zhèng）

提（tí）供 SOP-8 封装选项