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SiLM2014A

200V低压驱动芯（xīn）片

样（yàng）片（piàn）申（shēn）请

SiLM2014A_Datasheet

产品概述

产品（pǐn）特性

安规认证

典（diǎn）型应用图（tú）

产品概（gài）述（shù）

SiLM2014A 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用专有的高（gāo）压（yā）集成电路和锁存免疫（yì）的CMOS技术可提供可靠的（de）单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出兼容，最低支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱动器具（jù）有高（gāo）脉冲（chōng）电流（liú）缓冲级（jí），以减小驱动（dòng）器交叉导通。浮动通道（dào）可用于驱动高边配（pèi）置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达（dá）200V。

产（chǎn）品（pǐn）特（tè）性

为自举操作设计（jì）的浮动通（tōng）道

完全（quán）运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防止交叉导通（tōng）逻辑

两通道间匹（pǐ）配传（chuán）输延迟（chí）

输出信号与输（shū）入信号同相

通（tōng）过无铅（qiān）认证