SiLM2660/61是用于电池充电/放电系统控制的低（dī）功耗（hào）、高边N沟道FET驱动器（qì）。高边保护（hù）功能（néng）可避免系统（tǒng）的接地引脚断（duàn）开连接，以确保（bǎo）电（diàn）池组（zǔ）和主机（jī）系统之间的持续通信。SiLM2660具有额外（wài）的PFET控制输（shū）出，以允许对深度（dù）放电的电池进行（háng）低电流预充电，并且还（hái）集成了用于（yú）主机（jī）监控的电池PACK+电（diàn）压（yā）检（jiǎn）测。
独立（lì）的（de）使能输（shū）入接口允许电池充电和（hé）放电FET分别（bié）导通和关（guān）断，为（wéi）电池系统保护提供可（kě）靠（kào）性和设计（jì）灵活（huó）性。
高边NFET驱（qū）动（dòng）器，具有极短的开（kāi）启和关闭（bì）时间，用于迅速保护电（diàn）池（chí）。
预（yù）充电PFET驱（qū）动（dòng）器（qì）为深度耗尽的电池组提供电流限制的（de）预（yù）充电（diàn）功能(仅适（shì）用于SiLM2660)。
充电（diàn）和放电的独立（lì）使能（néng）控制。
基（jī）于（yú）外部电容器可扩展的电（diàn）荷泵，可适用多颗NFET并联驱动。
高的（de）输入（rù）耐压值（最大（dà）100V）。
可（kě）配（pèi）置的电池组电压检测功能（仅适用（yòng）于SiLM2660）。
支持可配置的通用和独（dú）立充（chōng）电和放电路径管理。
低功耗：正常模式：40uA；待机模式：小于10uA。
400 080 9938
