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SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高（gāo）欠压（yā）保（bǎo）护低边门极（jí）驱动器

样片申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规认证

典型应用图（tú）

产品（pǐn）概述（shù）

SiLM27511H系（xì）列是单（dān）通道（dào）高欠压保护（hù）低（dī）边门极驱动（dòng）器（qì），可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关（guān）。SiLM27511H 采用一种（zhǒng）能够从（cóng）内（nèi）部极大的降低直通电流的设计（jì），将高峰值（zhí）的源（yuán）电（diàn）流（liú）和灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨的（de）驱动（dòng）能力（lì）和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟（chí）。

SiLM27511H 在（zài） 15V 的 VDD 供电（diàn）情况（kuàng）下，能够提（tí）供 4A 的峰值源电流（liú）和 5A 的峰值灌电流。SiLM27511H 欠压（yā）锁定（dìng）保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成（chéng）本的门极（jí）驱（qū）动方案可用于替（tì）代 NPN和 PNP 分离器件（jiàn）方案

4A的（de）峰值源电流和 5A 的峰值灌（guàn）电流（liú）能（néng）力

快速的传（chuán）播（bō）延时（shí）（典型值为 18ns）

快速的上升和下降时间（典型值（zhí）为 9ns/6ns）

13.5V 到（dào） 20V 的（de）单电源范围

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻（luó）辑电（diàn）压（yā）阈值

双输入设计(可选择反相或非（fēi）反相驱动配（pèi）置)

输入浮空时输出保持为低

工（gōng）作（zuò）温度范围为（wéi） -40°C 到 140°C