SiLM27512器件（jiàn）是（shì）单通（tōng）道高速（sù）低边门极（jí）驱动器，可（kě）有效驱（qū）动MOSFET和（hé）IGBT等功率（lǜ）开（kāi）关（guān）。SiLM27512采（cǎi）用一种能够从内部极大的降低直通电流（liú）的设计，将高峰值的源电流（liú）和（hé）灌电流脉冲提供给电（diàn）容负载，以实现（xiàn）轨（guǐ）到轨的驱动（dòng）能力（lì）和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27512在12V的VDD供电（diàn）情况下，能够提供4A的峰（fēng）值（zhí）源电流和5A的（de）峰（fēng）值灌电流。
低成本的门极驱动方案（àn）可用于（yú）替（tì）代（dài） NPN和 PNP 分离（lí）器（qì）件方案
4A 的峰值（zhí）源电（diàn）流和5A的（de）峰值灌（guàn）电（diàn）流能力
快速的传输延时（典型（xíng）值为 18ns）
快速的上升和（hé）下降时间（典型值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到（dào） 20V 的单电源范围
VDD 欠（qiàn）压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑（jí）电压阈值（zhí）
双输（shū）入设计(可选（xuǎn）择反相或非反（fǎn）相驱动配置)
输入浮空（kōng）时输出保持为低（dī）
工（gōng）作温度范（fàn）围为 -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封装选项
400 080 9938
